意法半导体宣布推第三代碳化硅功率器件 挖掘SiC节能潜力

意法半导体宣布推第三代碳化硅功率器件 挖掘SiC节能潜力

日前,意法半导体宣布正式推出第三代STPOWER碳化硅(SiC) MOSFET晶体管,推进在电动汽车动力系统功率设备的前沿应用,及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性为重要目标的场景应用。作为SiC功率MOSFET市场的领导者,意法半导体整合先进的设计技术,以进一步挖掘SiC的节能潜力。

随着电动汽车市场加速发展,许多整车厂商和配套供应商都在采用800V驱动系统,以加快充电速度,帮助减轻电动汽车重量。新的800V系统能够帮助整车制造商生产行驶里程更长的汽车。意法半导体的新一代SiC器件专门为这些高端汽车应用进行了设计优化,包括电动汽车动力电机逆变器、车载充电机、DC/DC变换器和电子空调压缩机。新一代产品还适合工业应用,可提高驱动电机、可再生能源转换器和储能系统、电信电源、数据中心电源等应用的能效。

意法半导体目前已完成第三代SiC技术平台相关标准认证,从该技术平台衍生的大部分产品预计在2021年底前达到商用成熟度。标称电压650V、750V至1200V的器件将上市,为设计人员研发从市电取电,到电动汽车高压电池和充电机供电的各种应用提供更多选择。首批上市产品是有650V的SCT040H65G3AG和750V裸片形式的SCT160N75G3D8AG。意法半导体汽车和分立器件产品部副总裁、功率晶体管事业部总经理Edoardo Merli表示,预计2024年意法半导体SiC营收将达到10亿美元。(张晓丹)

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